进博会半导体展区：芯片公司开始卖机柜，不再只卖芯片

11 月 5 日，第九届中国国际进口博览会在国家会展中心（上海）开幕。技术装备展区今年把集成电路上下游铺满了，三星、SK 海力士、高通、英特尔、AMD、新思等公司同台亮相。逛一圈最直观的感受不是哪颗芯片参数更高，而是展台的陈列方式变了：芯片被装进机柜、装进集装箱，或者做成一台能在本地跑起大模型的终端。

一、参数卡退到二线，交付物站到台前

过去展台上最常见的是一张写着算力、制程、带宽的参数牌。今年更多厂商把存储、封装、供电、调度放进同一套可交付的系统里讲。原因不神秘：AI 数据中心的瓶颈已经从晶体管挪到了内存带宽、电力和工程效率。客户买的不是一颗芯片，而是一个能上架的算力单元。

对做硬件的人来说，这个变化意味着选型时的评估对象变了——不再只比芯片规格，而是比整套方案的功耗、散热和维护成本。一颗峰值算力更高的芯片，如果放进机柜后要多配一路供电、多占一个 U，账其实未必划算。

图：高通站台

二、存储三巨头同台，内存墙成了主角

今年展台上更新最密集的品类是存储。SK 海力士围绕 AI 负载展出了面向大容量应用的 256GB DDR5 RDIMM、主打高带宽的 128GB DDR5 MRDIMM，以及用新形态提升能效与空间利用率的 192GB SOCAMM2，同时覆盖 eSSD 与 LPDDR6，场景从数据中心一路铺到端侧 AI。三星与美光也把各自的 HBM 与 DDR5 方案摆在显眼位置。

SK海力士展示了覆盖从数据中心到端侧AI（On-Device AI）等多种应用场景的存储解决方案，包括服务器用DRAM模组、eSSD、LPDDR6等产品。

在服务器DRAM领域，SK海力士围绕AI工作负载对大容量、高带宽和高能效的需求，集中展示了包括面向大容量应用的256GB DDR5 RDIMM、具备高带宽性能的128GB DDR5 MRDIMM，以及采用全新形态设计、进一步提升能效与空间利用率的192GB SOCAMM2等产品。企业级SSD（eSSD）方面，SK海力士展出了采用QLC NAND、实现大容量存储的PS1101 E3.S，以及采用第六代PCIe的PSF010 E1.S等产品。

图：海力士展台

在SK电讯展区，正推进商业化的AI Inference Factory成为展区的一大亮点。该方案面向AI数据中心在成本、能耗及内存等方面的挑战，将AI计算资源、推理软件及浸没式液冷等技术整合为一体化全栈解决方案，并根据不同AI推理阶段的特性优化配置多种AI芯片。

作为连续九届参展的进博会“全勤生”，三星方面表示，截至目前，三星在中国设立15家生产企业、14家研发中心。参加进博会的9年间，三星累计在华投资约290亿美元，其中尖端产业投资占比达94%，几乎全部投向半导体、MLCC等尖端领域。

三星展台首次以芯片造型进行一体化设计，将芯片内部技术逻辑实现可视化。存储领域，该公司展出了其LPDDR5X-PIM、LPDDR6、UFS 5.0相关产品。

其中，三星本次带来的LPDDR6传输带宽较上一代提升了高达45%，最高支持125 GB/s。UFS 5.0基于UniPro 3.0和M-PHY 6.0的下一代UFS标准打造，拥有高达10.8 GB/s的带宽，顺序读写速度比上一代产品快2倍以上，与UFS 4.1相比，随机读取速度快5倍。

图：三星展台

美光则把重心放在HBM与高密度存储，从商业化进程来看，美光专为英伟达Vera Rubin设计的HBM4 36GB 12H已于今年第一季度量产出货，9650是其首款量产的PCIe Gen6固态硬盘，6600 ION单盘容量已达245TB，192GB SOCAMM2此前已送出样品。

图：美光展台

据QUICK FactSet数据，2026年第三季度，全球五大存储芯片厂商（三星电子、SK海力士、美光科技、铠侠及闪迪）合计营业利润约32万亿日元，较去年同期增长10倍。

当前，AI推理正带动存储全链路需求迎来结构性上行，场景定制化的发展特征，或将弱化传统存储行业的周期波动特征。业内认为，AI技术正沿着推理部署、Agentic智能体、物理世界AI这一脉络持续迭代，叠加机构测算2026年全球九大云服务商资本开支规模有望达到8300亿美元左右、同比增幅79%，多重因素共振，拉动HBM、服务器DRAM、企业级SSD、HDD等各类存储产品需求同步扩张。

值得注意的是模组形态本身的变化。SOCAMM 这类产品把内存从主板插槽里「拿出来」，做成可以贴近 CPU 的紧凑模块，本质是在用封装和布局换带宽与能效。当制程红利变薄，系统级的结构调整就成了性能提升的主要来源，这也解释了为什么展台上讲「整机」的人比讲「器件」的人多。