氮化镓半导体

近日，华为和山东大学的作者发布了一篇题为《1200 V Fully-Vertical GaN-on-Si Power MOSFET》的我论文。在文中，他们介绍一种 1200 V 全垂直 GaN-on...

从苏州跑出来的全球第一，上市了。 12月30日，氮化镓半导体研发商英诺赛科顺利登陆港股市场。此次IPO，英诺赛科定价在招股区间（30.86港元至33.66港元）的下限30.86港元/股，发行4536...