安海半导体（ANHI Semiconductor）

安海半导体（ANHI Semiconductor）公司简介

安海半导体（ANHI Semiconductor）是由具备功率半导体行业超过20年经验的资深团队组建而成，专注于高性能功率半导体技术、产品及系统方案的开发。以自主知识产权体系、自主工艺器件技术和产品技术为核心的构建国内首个专注于高性能第三代功率半导体技术领先的公司。为国内电源、动力驱动及能源转换行业提供从分立器件到模组级解决方案。

安海半导体推出基于世界领先的平面高密度工艺与沟槽工艺的第三代宽禁带功率半导体碳化硅SIC MOSFET产品，并且拥有首份国内碳化硅SIC MOSFET 沟槽结构发明专利。产品性能：高频率、高功率、高效率、低导通电阻；具有电流密度高、开关速度快、浪涌和短路能力强；电压覆盖1200V、1700V、1900V、3300V等广泛电压和以上优点。

典型应用领域为：新能源汽车、充电桩、工业电源、光伏逆变、储能电源、风力发电、轨道交通等。在新能源应用上更能满足新能源汽车、充电桩高效率和高功率密度的性能要求。

安海半导体（ANHI Semiconductor）的主要产品

1、SiC MOSFET

安海半导体推出基于世界领先的车规级平面高密度工艺与沟槽工艺的第三代宽禁带功率半导体碳化硅SIC MOSFET产品，产品性能：高频率、高功率、高效率、低导通电阻优点。具有电流密度高、开关速度快、浪涌和短路能力强等优点，电压覆盖1200V、1700V、1900V,典型应用领域为新能源汽车、充电桩、工业电源、光伏逆变、储能电源、风力发电、轨道交通等。在应用上更能满足充电桩高效率和高功率密度的性能要求。

2、SJ MOSFET

安海半导体推出新一代SJ MOSFET系列,采用先进的多层外延技术，优化了元胞结构，具有电流能力强，短路能力好，雪崩特性强，体内二极管反向恢复特性优，dv/dt能力优，EMI特性好，抗浪涌能力强的等特点和优点。 基于电荷平衡，超结核心是pillar柱与N-EPI 电荷平衡，在击穿状态下，完全耗尽。DeepTrench工艺，由于Pillar柱一次形成，无法对Pillar浓度做调整。 而多层外延技术，则可以分步进行调整，使器件的鲁棒性更强，更宽的SOA区间，具有优异的EMI及抗浪涌能力，性能更加稳定。 主要应用于电子产品充电器，LED照明，车载OBC，充电桩，光伏逆变，DC-DC电源等行业。

3、SGT MOSFET

安海半导体为客户提供了丰富的低压MOSFET产品，采用先进的 SGT MOS技术，极低的 FOM[RDS(on)xQg] 实现了低的导通和开关损耗，便于客户提高产品效率，做到更高的功率密度。优秀的EAS和SOA参数便于客户产 品适应不同的负载应用。-40°C-150°C的工作结温，便于客户产品在不同工作环境温度的应用。

4、IGBT

安海半导体可提供大电流系列的IGBT产品，产品工作频率覆盖20〜50KHZ的应用，具备静动态损耗低、短路耐受力强的特点， 可靠性高。产品优势：更窄的mesa设计，更优化的沟槽组合设计，更高的可靠性设计，严格参照车规级要求。 产品性能：更快的开关速度，应用频率达60KHz，更高的电流密度，可达400A/cm-2。 产品应用：OBC、充电桩、焊机、开关电源、光伏逆变器、储能等。