作为全球领先的中,低压MOS设计、运营及服务商,台懋科技股份有限公司自1988年在台湾新竹成立以来,始终坚守“敬畏科技、忠于客户”的服务理念,在深耕节能、高效半导体的发展与产品研发领域、致力于Tritech-M0S品牌下创造出更高性价比的产品,从而为客户提供优质的产品服务,回馈于社会。
为满足日益增长的中国大陆市场需求和依托大陆半导体人才的强大后盾,睿智的创始先辈在2005年果断将台湾设计,制造运营总部移至中国硅谷-无锡,以及开拓封测基地–台懋半导体(无锡)有限公司,进一步加强在内陆地区的业务布局和市场影响力。台懋半导体凭借其先进的设计制造能力、丰富的行销服务经验以及高效的后勤支持,构建了一套完整且极具竞争力的解决方案体系。无论是芯片设计和制程整合技术,还是对中,低电压领域的全方位应用,或是为客户提供的单一或多核心的客制化产品,都彰显了台懋半导体的专业水准和创新精神。
目前公司拥有Trench、SGT、8寸、12寸全系列MOSFET先进的芯片设计和制程整合技术,成品在照明、汽车、锂电、马达驱动、电动工具、家电智能控制,电源,充电桩等众多领域得到了广泛应用,并凭借出色的品质和性能赢得客户的高度认可和信赖。
授权代理商
品牌官网
主要产品
IGBT、LDO、MOSFET
主要应用
逆变器,LED恒流电源去频闪,电子烟PCBA,开关电源,充电器同步整流,汽车,摩托车灯PCBA,便携式电梳即热式产品PCBA,直流无刷马达控制器,太阳能充放电板
产品亮点
IGBT系列产品亮点:
1.高效能转换:IGBT拥有快速的开关速度和低导通压降,这使得电能转换效率更高,损耗更低。
2.高可靠性:通过严格的质量测试和先进的制造工艺,IGBT具备出色的耐用性和稳定性,能够在各种恶劣环境下可靠运行。
3.强大的驱动能力:IGBT系列产品提供强大的驱动能力,可驱动大功率负载,满足高功率应用的需求。
4.低热损耗:IGBT在工作时产生的热损耗较小,有助于降低散热要求,提高系统的整体效率。
5.广泛应用领域:IGBT适用于逆变器、电机驱动、电源、工业自动化等多个领域,为各种电力电子设备提供核心支持。
6.模块化设计:采用模块化设计,方便安装和维护,可根据不同应用场景进行灵活组合。
7.智能化控制:部分IGBT产品支持智能化控制,可实现自我诊断、故障保护和远程监控等功能,提高系统的安全性和可靠性。
LDO系列产品亮点:
1.超稳定电压输出:LDO能提供极其稳定的电压输出,无论输入电压和负载变化如何,都能确保输出电压的精准和稳定。
2.低噪声特性:LDO系列产品具有低噪声特性,不会对敏感电路产生干扰,保证系统的信号质量。
3.高电源抑制比:拥有高电源抑制比,能有效抑制输入电源的噪声和干扰,提高系统的抗干扰能力。
4.低静态电流:在待机模式下,LDO消耗极低的静态电流,延长电池寿命,适用于便携式设备。
5.宽工作温度范围:LDO可以在广泛的温度范围内工作,适应各种恶劣环境条件。
6.小尺寸封装:采用小尺寸封装,占用空间小,便于集成到紧凑的电路板设计中。
7.高精度调节:某些LDO产品提供高精度的电压调节功能,可满足对电压精度要求极高的应用需求。
中低压MOS系列产品亮点:
1.高效率:中低压MOS具有较低的导通电阻和快速的开关速度,使得能量转换效率更高,降低系统能耗。
2.高强度耐压:具备较高的耐压能力,能够承受中低压范围内的电压波动,保证系统的稳定运行。
3.低导通损耗:MOS导通时损耗较低,能够提高电源效率,减少发热。
4.高速开关特性:快速的开关速度有助于提高系统的响应速度,适用于对速度要求较高的场合。
5.良好的散热性能:设计合理的散热结构,有效降低MOS芯片的温度,提高产品的可靠性。
6.广泛的兼容性:中低压MOS系列产品与多种电路拓扑结构兼容,便于系统设计和集成。
7.高集成度:部分产品采用高集成度设计,将多个MOS管集成在一个芯片上,减小电路板面积,降低成本。
数据评估
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